Die einfachste Methode zur Herstellung von Siliziumkarbid besteht darin, Quarzsand und Kohlenstoff, beispielsweise Kohle, bei hohen Temperaturen – bis zu 2.500 Grad Celsius – zu schmelzen. Dunklere, häufigere Versionen von Siliziumkarbid enthalten oft Eisen- und Kohlenstoffverunreinigungen, aber reine SiC-Kristalle sind farblos und entstehen, wenn Siliziumkarbid bei 2.700 Grad Celsius sublimiert wird. Nach dem Erhitzen werden diese Kristalle in einem als Lely-Methode bekannten Verfahren bei niedrigerer Temperatur auf Graphit abgelagert.
Lely-Methode: Bei diesem Verfahren wird ein Granittiegel auf eine sehr hohe Temperatur erhitzt, normalerweise durch Induktion, um das Siliziumkarbidpulver zu sublimieren. Der Graphitstab mit niedrigerer Temperatur befindet sich in einem Gasgemisch, wodurch das reine Siliziumkarbid ausfällt und Kristalle bildet.
Chemische Gasphasenabscheidung: Alternativ können Hersteller kubisches SiC mithilfe der chemischen Gasphasenabscheidung herstellen, die häufig bei kohlenstoffbasierten Syntheseprozessen und in der Halbleiterindustrie eingesetzt wird. Bei dieser Methode wird eine spezielle chemische Gasmischung in eine Vakuumumgebung eingeleitet und kombiniert, bevor sie auf einem Substrat abgeschieden wird.
Beide Verfahren zur Herstellung von Siliziumkarbid-Wafern erfordern für den Erfolg enorme Mengen an Energie, Ausrüstung und Wissen.
